Переход на пластины большего диаметра позволит снизить себестоимость производства микросхем, увеличить эффективность использования энергии и сократить выбросы вредных газов.
26.12.2011
TSMC начнёт производство чипов на 450-миллиметровых подложках в 2015 году
Переход на пластины большего диаметра позволит снизить себестоимость производства микросхем, увеличить эффективность использования энергии и сократить выбросы вредных газов.
11.10.2011
Infineon рапортует о новых достижениях в производстве силовых элементов
Немецкая компания первой в отрасли освоила выпуск силовых полупроводниковых элементов на основе тонких кремниевых пластин диаметром 300 миллиметров.
29.09.2011
Toshiba создала самый маленький в отрасли микрочип TransferJet
Система TransferJet, предназначенная для использования в портативных устройствах и бытовой электронике, позволяет передавать данные со скоростью до 560 Мбит/с на расстояние в несколько сантиметров.
09.12.2010
Новый завод Intel сможет использовать 450-миллиметровые подложки
Переход на кремниевые подложки большего диаметра позволит снизить себестоимость производства микросхем, повысить эффективность использования энергии и сократить выбросы вредных газов в атмосферу.
 |  |
Новый завод Intel сможет использовать 450-миллиметровые подложки
Переход на кремниевые подложки большего диаметра позволит снизить себестоимость производства микросхем, повысить эффективность использования энергии и сократить выбросы вредных газов в атмосферу.
06.12.2010
TSMC начнёт производство 28-нанометровых микросхем в 2011 году
Кроме того, один из крупнейших в мире контрактных производителей микросхем планирует строительство завода, который займётся выпуском продукции на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. Предприятие, предположительно, заработает в 2015 году.
| |
TSMC начнёт производство 28-нанометровых микросхем в 2011 году
Кроме того, один из крупнейших в мире контрактных производителей микросхем планирует строительство завода, который займётся выпуском продукции на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. Предприятие, предположительно, заработает в 2015 году.
02.12.2010
Создан NFC-микрочип со встроенной флеш-памятью
Новая разработка компании Samsung характеризуется на 20 процентов меньшим энергопотреблением по сравнению с современными решениями, а наличие интегрированной памяти позволит обновлять «прошивку» чипа.
| |
Создан NFC-микрочип со встроенной флеш-памятью
Новая разработка компании Samsung характеризуется на 20 процентов меньшим энергопотреблением по сравнению с современными решениями, а наличие интегрированной памяти позволит обновлять «прошивку» чипа.
29.10.2010
10-нанометровые микрочипы могут появиться в 2016 году
Intel, Toshiba и Samsung формируют консорциум по разработке новых технологий производства микросхем. Ожидается, что эти методики в перспективе будут использованы при выпуске флеш-памяти NAND и компьютерных процессоров.
10-нанометровые микрочипы могут появиться в 2016 году
Intel, Toshiba и Samsung формируют консорциум по разработке новых технологий производства микросхем. Ожидается, что эти методики в перспективе будут использованы при выпуске флеш-памяти NAND и компьютерных процессоров.
| |
10-нанометровые микрочипы могут появиться в 2016 году
Intel, Toshiba и Samsung формируют консорциум по разработке новых технологий производства микросхем. Ожидается, что эти методики в перспективе будут использованы при выпуске флеш-памяти NAND и компьютерных процессоров.
| |
28.07.2010
Sharp создала высокопроизводительный контроллер для устройств с двумя дисплеями
Микрочип способен справляться с одновременным выводом двух различных видеопотоков на экраны с разрешением до 1024×480 пикселов каждый. Кроме того, допускается отображение Full HD-картинки на внешних устройствах.
| |
Sharp создала высокопроизводительный контроллер для устройств с двумя дисплеями
Микрочип способен справляться с одновременным выводом двух различных видеопотоков на экраны с разрешением до 1024×480 пикселов каждый. Кроме того, допускается отображение Full HD-картинки на внешних устройствах.
08.04.2010
Разработан самый маленький в мире Bluetooth-модуль
По заявлению разработчиков из японской компании Murata, микросхема LBMA43PQN на 30% компактнее чипов предыдущего поколения. Чип, поддерживающий спецификацию Bluetooth версии 2.1+EDR, предназначен для встраивания в различные карманные устройства.
Разработан самый маленький в мире Bluetooth-модуль
По заявлению разработчиков из японской компании Murata, микросхема LBMA43PQN на 30% компактнее чипов предыдущего поколения. Чип, поддерживающий спецификацию Bluetooth версии 2.1+EDR, предназначен для встраивания в различные карманные устройства.
Разработан самый маленький в мире Bluetooth-модуль
По заявлению разработчиков из японской компании Murata, микросхема LBMA43PQN на 30% компактнее чипов предыдущего поколения. Чип, поддерживающий спецификацию Bluetooth версии 2.1+EDR, предназначен для встраивания в различные карманные устройства.
